名古屋大学未来材料・システム研究所の齋藤 晃 教授、及部 哲平 博士前期課程学生（研究当時）、日立ハイテクの五十嵐 啓介、佐藤 岳志、松本 弘昭、稲田 博実、東京都立大学の遠藤 尚彦 技術スタッフ、宮田 耕充 准教授、名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻の宇佐美 怜 博士後期課程学生、竹延 大志 教授らの研究グループは、原子分解能２次電子（SE）イメージングの表面敏感性を初めて定量的に評価しました。研究グループは、２次元原子層材料二硫化モリブデンMoS2を回転積層した２層積層試料に対して、原子分解能２次電子像を撮影しました。その結果、表面層の原子配列を表す２次電子像の強度が第２層に比べて３倍程度高いことを見出し、原子分解能SE像が原子層レベルの表面敏感性を有することを初めて明らかにしました。本研究成果は、２０２４年９月２０日付で公益社団法人 日本顕微鏡学会が発行する国際学術誌「Microscopy」に掲載されました。
・原子分解能２次電子（SE）注1）像の表面敏感性を初めて定量的に評価した。
・２次元原子層材料二硫化モリブデンMoS2を回転積層した２層積層試料に対して、原子分解能２次電子像を撮影した。
・表面第１層の原子配列を表す２次電子像の強度が、第2層に比べて３倍程度高いことを発見し、原子分解能SE像が原子１層レベルで表面原子配列を観察できることを明らかにした。
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注1）２次電子（SE）：
試料に電子線を入射すると、入射電子は自身のエネルギーの一部を試料内の電子に与え、その電子を放出させる。この放出した電子を２次電子と呼ぶ。２次電子のエネルギー分布は数10eVにピークをもち、高エネルギー側にブロードに広がっている。入射電子線は試料中で散乱を繰り返し、涙状に広がり、その各点で2次電子を生成するが、試料の深部で生成した２次電子は試料から脱出することができないため、2次電子として検出されるのは試料表面近傍のおよそ10nm以内で生じた2次電子と考えられている。
雑誌名：Microscopy
論文タイトル：Surface sensitivity of atomic resolution secondary electron imaging
著者：齋藤 晃、及部 哲平（名古屋大学未来材料・システム研究所）
DOI: https://doi.org/10.1093/jmicro/dfae041
URL:
https://academic.oup.com/jmicro/advance-article/doi/10.1093/jmicro/dfae041/7762293
